关于我们

PVA晶体生长设备有限公司
创造至纯晶基

凭借超过一千台设备的安装及使用经验,以及先进技术
的深厚积累,在高纯单晶设备领域中我们已为广大专业
客户提供了超过60年的专业服务。先进半导体、太阳能
光伏、高端电子产品等行业迅猛发展,以及前沿科学研
究领域的持续创新,得益于我们高性能的材料制备设备
以及完善的服务体系。通过按照客户需求提供工厂设计
和执行项目,我们协助客户生产高质量晶体以匹配其特
殊用途。

展示产品

柴可拉斯基法(Cz) 柴可拉斯基法(即直拉法, 简称C
Z)也被称为“晶体提拉法“或“晶体熔池提拉法“。在此工
艺中,硅原料(Si)首先被熔解,然后在人工控制下逐
步凝结为晶体状态。此种工艺的显著优点为生长速度快
及可控性强。直拉工艺已经成为太阳能和半导体工业(
计算机行业中的大规模集成电路和微电子技术领域)获
得高品质硅单晶的首要手段。您将获益于高效、高品质
的晶体制程。

SC 24

基于直拉法(柴可拉斯基法Czochralski)的晶体生长系统S
C 24专为半导体/太阳能工业中的单晶硅晶体(晶锭)的
工业生产而设计。 模块化的设计概念使它可以根据每个
客户的需求而进行定制设计。 24寸热场经过设计能耗最
低,可以加硅料至160千克(不包括加料装置),满足


于直径达230 毫米(9寸)晶体的生产。

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FZ-30

FZ-30悬浮区熔法(FloatZone)晶体生长系统专为工业生产直径最大为200 毫米
(8寸)的单晶硅晶体而设计。根据源棒的尺寸,可以
拉出2000毫米长度的晶体。在工艺里通过相机的使用可
以监控晶体的直径和溶液高度。

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baSiC-T SiCma400/600

baSiC-T SiCma400 / 600系统专门用于通过物理气相传
输法(PVT)的碳化硅晶体(SiC)的生产。在工艺中,粉
末状基础材料在高温下被加热,随后升华并最终沉积在
特别制备的基底上。 整个工艺通过感应线圈产生的上千
赫兹范围内的感应加热来实现。

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地址
PVA Crystal Growing Systems GmbH
Im Westpark 10 – 12
35435 Wettenberg
Germany

电话: +49 641 68690-0
传真: +49 641 68690-800
网址: www.pvatepla-cgs.com
电子邮件: 发送信息

联系人

Fiona Becker
Assistant Technical Service & Management
电话: +49 641 68690127
电子邮件: 发送信息

代表
PVA Semiconductor Systems Xi'an Co., Ltd.
No. 385 Hangtian Zhong Road, Zhongchuang Plaza 1103
710100
P. R. China

电话: +86 29 89687501
传真: +86 29 89687501
网址: www.pvatepla.com
电子邮件: 发送信息

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